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半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja]

被引：0
申请号：
JP20220036056
申请日：
2022-03-09
公开(公告)号：
JP2022095628A
公开(公告)日：
2022-06-28
发明(设计)人：
TAKIZAWA SHUICHI SHIOMI HARUNORI
申请人：
SONY GROUP CORP
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L31/10
IPC分类号：
B82Y20/00 B82Y40/00 H01L27/146 H01L27/30
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018016213A1 ,2019-05-23
[2]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7548369B2 ,2024-09-10
[3]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7040445B2 ,2022-03-23
[4]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7302688B2 ,2023-07-04
[5]
電子素子及びその製造方法並びに電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7445380B2 ,2024-03-07
[6]
光電変換素子とその製造方法並びに光電変換装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013031843A1 ,2015-03-23
[7]
光電変換素子及びその製造方法[ja] [P]. 
WAKAMIYA ATSUSHI ;
NAKAMURA TOMOYA ;
YAMAMOTO SHUHEI ;
MIKI MAKO .
日本专利 :JP2024125939A ,2024-09-19
[8]
光電変換素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7702514B1 ,2025-07-03
[9]
光電変換素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025130298A ,2025-09-08
[10]
光電変換素子及びその製造方法[ja] [P]. 
MIYASAKA TSUTOMU ;
GUO ZHANGLIN ;
JENA AJAY KUMAR ;
TAKEI IZURU .
日本专利 :JP2024017718A ,2024-02-08
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