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半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja]

被引：0
申请号：
JP20220036056
申请日：
2022-03-09
公开(公告)号：
JP7302688B2
公开(公告)日：
2023-07-04
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L27/146
IPC分类号：
H10K99/00 B82Y20/00 B82Y40/00 H01L31/10 H10K39/32
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
TAKIZAWA SHUICHI ;
SHIOMI HARUNORI .
日本专利 :JP2022095628A ,2022-06-28
[2]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018016213A1 ,2019-05-23
[3]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7548369B2 ,2024-09-10
[4]
半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7040445B2 ,2022-03-23
[5]
電子素子及びその製造方法並びに電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7445380B2 ,2024-03-07
[6]
光電変換素子、固体撮像装置及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7407712B2 ,2024-01-04
[7]
光電変換素子、固体撮像装置及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020027117A1 ,2021-08-10
[8]
固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7256808B2 ,2023-04-12
[9]
固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019069752A1 ,2020-11-05
[10]
固体撮像素子及び電子装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7507282B2 ,2024-06-27
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