一种低损耗高频磁介材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110549706.3

申请日：

2021-05-20

公开(公告)号：

CN113264759B

公开(公告)日：

2021-08-17

发明(设计)人：

武剑李颉孙亚辉高峰苏豪凯张颖刘颖力

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C04B3532

IPC分类号：

C04B35622 C04B3564 H01Q138

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

吴姗霖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-03	授权	授权
2021-08-17	公开	公开
2021-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/32 申请日:20210520
2022-12-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/32 登记生效日:20221207 变更事项:专利权人变更前权利人:电子科技大学变更后权利人:成都齐兴真空镀膜技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更后权利人:610093 四川省成都市成都高新区高朋大道5号公共秘书平台A-98位

共 50 条

[1]

一种高频低损耗软磁材料及其制备方法 [P].

程玉 ;

左鹏军 ;

周吉峰 ;

王云平 ;

刘文 ;

巨朝飞 ;

杨聪斌 ;

贾耀波 ;

江允楠 .

中国专利 :CN119170402A ,2024-12-20

[2]

一种高频低损耗软磁材料及其制备方法 [P].

程玉 ;

左鹏军 ;

周吉峰 ;

王云平 ;

刘文 ;

巨朝飞 ;

杨聪斌 ;

贾耀波 ;

江允楠 .

中国专利 :CN119170402B ,2025-06-13

[3]

一种镁铁氧体基低损耗磁介材料及其制备方法 [P].

郭莉 ;

李颉 ;

甘功雯 ;

杨燕 ;

王刚 ;

张怀武 .

中国专利 :CN110078492B ,2019-08-02

[4]

一种包覆式高频磁介材料及其制备方法 [P].

武剑 ;

李颉 ;

梁峥 ;

韩雪宁 ;

张颖 ;

卢冰 ;

刘颖力 .

中国专利 :CN113845360B ,2021-12-28

[5]

一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法 [P].

彭虎 ;

郭海 ;

李倩杰 ;

聂敏 ;

宋业辉 ;

周相国 .

中国专利 :CN115521138A ,2022-12-27

[6]

一种高频低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法 [P].

朱航飞 ;

张丛 ;

刘立东 ;

单震 .

中国专利 :CN110937887B ,2020-03-31

[7]

一种高频低损耗FeMnZnNi铁氧体材料及其制备方法 [P].

朱航飞 ;

张丛 ;

刘立东 ;

王国光 ;

单震 .

中国专利 :CN111362680A ,2020-07-03

[8]

一种高频低损耗铁氧体材料及其制备方法 [P].

朱航飞 ;

张丛 ;

王国光 ;

包大新 .

中国专利 :CN109354489B ,2019-02-19

[9]

一种高介电低损耗介质材料及其制备方法 [P].

刘亦谦 ;

余杭 ;

刘隽甫 ;

孙士伦 .

中国专利 :CN120081664A ,2025-06-03

[10]

一种APU-Al高频高介电低损耗材料及其制备方法 [P].

张子栋 ;

王忠阳 ;

范润华 ;

刘峣 .

中国专利 :CN109251514B ,2019-01-22

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