一种高介电低损耗介质材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510224356.1

申请日：

2025-02-27

公开(公告)号：

CN120081664A

公开(公告)日：

2025-06-03

发明(设计)人：

刘亦谦余杭刘隽甫孙士伦

申请人：

昆山清元电子科技有限公司

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区盛晞路3号12幢406室

IPC主分类号：

C04B35/468

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/638

代理机构：

无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471

代理人：

巫美金

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/468申请日:20250227
2025-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低介低损耗介质材料及其制备方法 [P].

张平 ;

孙可欣 .

中国专利 :CN111302796A ,2020-06-19

[2]

一种高压低损耗介质材料及其制备方法 [P].

孙士伦 ;

张力 ;

蒋佳 ;

刘隽甫 ;

刘亦谦 .

中国专利 :CN120535306A ,2025-08-26

[3]

一种高介电低损耗PC/ABS合金及其制备方法 [P].

石允慧 ;

汪龙存 ;

马朝玖 .

中国专利 :CN108129792A ,2018-06-08

[4]

一种高介电低损耗介质陶瓷及其制备方法 [P].

马雪刚 ;

李远亮 ;

桑蓉栎 ;

陈颖 ;

崔志敏 ;

张庆军 .

中国专利 :CN103922728A ,2014-07-16

[5]

一种APU-Al高频高介电低损耗材料及其制备方法 [P].

张子栋 ;

王忠阳 ;

范润华 ;

刘峣 .

中国专利 :CN109251514B ,2019-01-22

[6]

一种高介电低损耗掺杂钛酸钡钙陶瓷及其制备方法 [P].

李彩霞 ;

王婉茹 ;

刘一帆 ;

王泽宇 ;

赵艺雯 ;

杨森 ;

王相宜 .

中国专利 :CN114853468A ,2022-08-05

[7]

一种低损耗高频磁介材料及其制备方法 [P].

武剑 ;

李颉 ;

孙亚辉 ;

高峰 ;

苏豪凯 ;

张颖 ;

刘颖力 .

中国专利 :CN113264759B ,2021-08-17

[8]

一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法 [P].

彭虎 ;

郭海 ;

李倩杰 ;

聂敏 ;

宋业辉 ;

周相国 .

中国专利 :CN115521138A ,2022-12-27

[9]

高介电低损耗玻璃纤维及其制备方法 [P].

唐志尧 ;

张艳萍 ;

王加芳 ;

杜凤玲 ;

刘丹 ;

柳丽娜 ;

李风香 .

中国专利 :CN113135668A ,2021-07-20

[10]

一种宽温稳定、高介、低损耗的MLCC介质材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

张博文 ;

陈俊晓 .

中国专利 :CN105272220A ,2016-01-27

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