液相法生长碳化硅晶体的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311028451.1

申请日：

2023-08-15

公开(公告)号：

CN117051471B

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

巴音图

申请人：

通威微电子有限公司

申请人地址：

610299 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内

IPC主分类号：

C30B15/14

IPC分类号：

C30B15/20 C30B29/36

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

杨勋

法律状态：

授权

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

巴音图 .

中国专利 :CN117328133A ,2024-01-02

[2]

用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

陈小龙 ;

盛达 ;

李辉 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN117947518A ,2024-04-30

[3]

用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

陈小龙 ;

盛达 ;

王国宾 ;

王文军 ;

郭建刚 ;

李辉 .

中国专利 :CN116163004B ,2025-11-25

[4]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

张泽盛 .

中国专利 :CN113718337B ,2021-11-30

[5]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

林育仪 .

中国专利 :CN116988138B ,2024-02-27

[6]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

巴音图 .

中国专利 :CN220977219U ,2024-05-17

[7]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

朱灿 ;

李斌 ;

李加林 .

中国专利 :CN105970295A ,2016-09-28

[8]

基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置 [P].

薛卫明 ;

马远 .

中国专利 :CN213624473U ,2021-07-06

[9]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

王鹏刚 .

中国专利 :CN220977226U ,2024-05-17

[10]

基于液相外延法生长碳化硅晶体的生长控制方法及系统 [P].

薛卫明 ;

马远 .

中国专利 :CN112410870A ,2021-02-26

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