一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111030992.9

申请日：

2021-09-03

公开(公告)号：

CN113718337B

公开(公告)日：

2021-11-30

发明(设计)人：

张泽盛

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B910

代理机构：

北京格允知识产权代理有限公司 11609

代理人：

刘晓

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210903
2021-11-30	公开	公开
2022-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

巴音图 .

中国专利 :CN117328133A ,2024-01-02

[2]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

林育仪 .

中国专利 :CN116988138B ,2024-02-27

[3]

液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

巴音图 .

中国专利 :CN117051471B ,2024-03-22

[4]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

巴音图 .

中国专利 :CN220977219U ,2024-05-17

[5]

用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

陈小龙 ;

盛达 ;

李辉 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN117947518A ,2024-04-30

[6]

用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

陈小龙 ;

盛达 ;

王国宾 ;

王文军 ;

郭建刚 ;

李辉 .

中国专利 :CN116163004B ,2025-11-25

[7]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

朱灿 ;

李斌 ;

李加林 .

中国专利 :CN105970295A ,2016-09-28

[8]

一种液相法生长碳化硅晶体的装置 [P].

王鹏刚 .

中国专利 :CN220977226U ,2024-05-17

[9]

一种液相法高效生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

刘立军 ;

朱震霖 ;

裴骏红 ;

李建铖 .

中国专利 :CN118792737A ,2024-10-18

[10]

一种生长碳化硅晶体的装置及碳化硅晶体的生长方法 [P].

于华宽 ;

孙珮然 ;

邹宇 ;

张平 ;

娄艳芳 ;

王波 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN121087608A ,2025-12-09

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