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功率半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010488310.8
申请日：
2020-06-02
公开(公告)号：
CN111739928B
公开(公告)日：
2024-05-31
发明(设计)人：
张邵华
郭广兴
杨彦涛
申请人：
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰集成电路有限公司
申请人地址：
310012 浙江省杭州市黄姑山路4号
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/423
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人：
岳丹丹
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-31 | 授权 | 授权 |