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功率半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410096565.8
申请日：
2024-01-23
公开(公告)号：
CN117727791A
公开(公告)日：
2024-03-19
发明(设计)人：
陈勇
张邵华
杨青森
陈琛
刘块
申请人：
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰集昕微电子有限公司
申请人地址：
310012 浙江省杭州市黄姑山路4号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L21/336
代理机构：
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人：
蔡纯;杨思雨
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-19 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240123 |