功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410092820.1

申请日：

2024-01-23

公开(公告)号：

CN118016715A

公开(公告)日：

2024-05-10

发明(设计)人：

陈勇张邵华杨青森陈琛刘块

申请人：

杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司

申请人地址：

310012 浙江省杭州市西湖区黄姑山路4号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L23/48

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;杨思雨

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-10	公开	公开
2024-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240123

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇 ;

张邵华 ;

杨青森 ;

陈琛 ;

刘块 .

中国专利 :CN117727791A ,2024-03-19

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

张邵华 ;

郭广兴 ;

杨彦涛 .

中国专利 :CN111739928A ,2020-10-02

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

张邵华 ;

郭广兴 ;

杨彦涛 .

中国专利 :CN111755500A ,2020-10-09

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

曾泉 ;

纪刚 ;

钟添宾 ;

倪凯彬 ;

张雄英 ;

顾建平 .

中国专利 :CN101556967B ,2009-10-14

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

雷海波 .

中国专利 :CN104659086A ,2015-05-27

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

谭开洲 ;

肖添 ;

张嘉浩 ;

杨永晖 ;

蒋和全 ;

李儒章 ;

张培健 ;

钟怡 ;

王鹏 ;

王育新 ;

付晓君 ;

唐昭焕 .

中国专利 :CN114335164A ,2022-04-12

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

许鸿豹 ;

黄金 .

中国专利 :CN101527315B ,2009-09-09

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

张邵华 ;

郭广兴 ;

杨彦涛 .

中国专利 :CN111739928B ,2024-05-31

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