功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310594909.X

申请日：

2013-11-21

公开(公告)号：

CN104659086A

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

肖胜安雷海波

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	授权	授权
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614576809 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:201310594909X 申请日:20131121
2015-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

曾泉 ;

纪刚 ;

钟添宾 ;

倪凯彬 ;

张雄英 ;

顾建平 .

中国专利 :CN101556967B ,2009-10-14

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

许鸿豹 ;

黄金 .

中国专利 :CN101527315B ,2009-09-09

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618A ,2022-04-22

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇 ;

张邵华 ;

杨青森 ;

陈琛 ;

刘块 .

中国专利 :CN118016715A ,2024-05-10

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

支立明 .

中国专利 :CN118782470A ,2024-10-15

[8]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李忠仁 ;

何福秀 .

中国专利 :CN120076376B ,2025-07-11

[9]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李忠仁 ;

何福秀 .

中国专利 :CN120076376A ,2025-05-30

[10]

GaN功率半导体器件及其制造方法 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 .

中国专利 :CN112289859B ,2021-01-29

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