GaN功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910668737.3

申请日：

2019-07-23

公开(公告)号：

CN112289859B

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

陈道坤史波曾丹敖利波

申请人：

申请人地址：

519070 广东省珠海市前山金鸡西路

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335

代理机构：

北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662

代理人：

韩来兵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190723
2022-02-11	授权	授权
2021-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

曾泉 ;

纪刚 ;

钟添宾 ;

倪凯彬 ;

张雄英 ;

顾建平 .

中国专利 :CN101556967B ,2009-10-14

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

雷海波 .

中国专利 :CN104659086A ,2015-05-27

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

许鸿豹 ;

黄金 .

中国专利 :CN101527315B ,2009-09-09

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

徐旭东 ;

王聪 ;

梁昕 .

中国专利 :CN111933700B ,2020-11-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618A ,2022-04-22

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇 ;

张邵华 ;

杨青森 ;

陈琛 ;

刘块 .

中国专利 :CN118016715A ,2024-05-10

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

支立明 .

中国专利 :CN118782470A ,2024-10-15

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

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