功率半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202111546517.7

申请日：

2021-12-16

公开(公告)号：

CN114388618A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

姚国亮邹华刘建平张邵华吴建兴

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

岳丹丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211216
2022-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191A ,2018-07-24

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郑玉宁 ;

张枫 .

中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266B ,2024-02-23

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

赵金波 ;

曹俊 ;

张邵华 ;

王平 ;

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

王珏 .

中国专利 :CN107452629A ,2017-12-08

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