功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710687421.X

申请日：

2017-08-11

公开(公告)号：

CN107452629A

公开(公告)日：

2017-12-08

发明(设计)人：

赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;张靖琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170811
2017-12-08	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104269357A ,2015-01-07

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104078354B ,2014-10-01

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郑玉宁 ;

张枫 .

中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266B ,2024-02-23

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

顾悦吉 ;

陈琛 ;

陶玉美 .

中国专利 :CN107910270B ,2024-05-31

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191A ,2018-07-24

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