功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310311327.6

申请日：

2013-07-23

公开(公告)号：

CN104347693A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

郑玉宁张枫

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335 H01L2128

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2018-02-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/772 申请公布日:20150211
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601516385 IPC(主分类):H01L 29/772 专利申请号:2013103113276 申请日:20130723

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

顾悦吉 ;

陈琛 ;

陶玉美 .

中国专利 :CN107910270B ,2024-05-31

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

顾悦吉 ;

陈琛 ;

陶玉美 .

中国专利 :CN107910270A ,2018-04-13

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266B ,2024-02-23

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

赵金波 ;

曹俊 ;

张邵华 ;

王平 ;

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

王珏 .

中国专利 :CN107452629A ,2017-12-08

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191A ,2018-07-24

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

格哈德·施密特 .

中国专利 :CN104282685A ,2015-01-14

← 1 2 3 4 5 →