功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310099590.3

申请日：

2013-03-26

公开(公告)号：

CN104269357A

公开(公告)日：

2015-01-07

发明(设计)人：

顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L29739 H01L2906

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/331 申请公布日:20150107
2015-01-07	公开	公开
2015-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596970870 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2013100995903 申请日:20130326

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104078354B ,2014-10-01

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

赵金波 ;

曹俊 ;

张邵华 ;

王平 ;

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

王珏 .

中国专利 :CN107452629A ,2017-12-08

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郑玉宁 ;

张枫 .

中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266B ,2024-02-23

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

顾悦吉 ;

陈琛 ;

陶玉美 .

中国专利 :CN107910270B ,2024-05-31

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191A ,2018-07-24

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