功率半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510152334.9
申请日
2025-02-11
公开(公告)号
CN120111918A
公开(公告)日
2025-06-06
发明(设计)人
王宝柱
申请人
杭州芯迈半导体技术有限公司
申请人地址
310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
IPC主分类号
H10D30/01
IPC分类号
H10D30/66 H10D62/10
代理机构
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人
李秀霞
法律状态
公开
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
金台勋 .
中国专利 :CN1156328A ,1997-08-06
[2]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
河定穆 ;
禹赫 ;
金信儿 ;
金台烨 .
中国专利 :CN113725298A ,2021-11-30
[3]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
李述洲 ;
孙永生 ;
万欣 ;
晋虎 ;
高良 .
中国专利 :CN109786465B ,2019-05-21
[4]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
河定穆 ;
禹赫 ;
金信儿 ;
金台烨 .
中国专利 :CN113707707A ,2021-11-26
[5]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
河定穆 .
中国专利 :CN114141874A ,2022-03-04
[6]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
姚国亮 ;
邹华 ;
刘建平 ;
张邵华 ;
吴建兴 .
中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23
[7]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
河定穆 ;
禹赫 ;
金信儿 ;
金台烨 .
韩国专利 :CN113707707B ,2025-04-08
[8]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
黄示 ;
顾悦吉 ;
周琼琼 ;
韩健 .
中国专利 :CN113054011A ,2021-06-29
[9]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
河定穆 ;
禹赫 ;
金信儿 ;
金台烨 .
韩国专利 :CN113725298B ,2025-06-03
[10]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
姚国亮 ;
邹华 ;
刘建平 ;
张邵华 ;
吴建兴 .
中国专利 :CN114388618A ,2022-04-22