功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96105128.0

申请日：

1996-05-20

公开(公告)号：

CN1156328A

公开(公告)日：

1997-08-06

发明(设计)人：

金台勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29744

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-02	授权	授权
2016-06-29	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101667772337 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL961051280 申请日:19960520 授权公告日:20040602 终止日期:无
2002-02-06	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:三星电子株式会社变更后权利人:快捷韩国半导体有限公司登记生效日:20011204
1999-05-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113725298A ,2021-11-30

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李述洲 ;

孙永生 ;

万欣 ;

晋虎 ;

高良 .

中国专利 :CN109786465B ,2019-05-21

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113707707A ,2021-11-26

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 .

中国专利 :CN114141874A ,2022-03-04

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113707707B ,2025-04-08

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

黄示 ;

顾悦吉 ;

周琼琼 ;

韩健 .

中国专利 :CN113054011A ,2021-06-29

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113725298B ,2025-06-03

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

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