功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811544082.0

申请日：

2018-12-17

公开(公告)号：

CN109786465B

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

李述洲孙永生万欣晋虎高良

申请人：

申请人地址：

405200 重庆市梁平区梁平工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

尹丽云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181217
2022-07-15	授权	授权
2019-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

金台勋 .

中国专利 :CN1156328A ,1997-08-06

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113725298A ,2021-11-30

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113707707A ,2021-11-26

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 .

中国专利 :CN114141874A ,2022-03-04

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113707707B ,2025-04-08

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

黄示 ;

顾悦吉 ;

周琼琼 ;

韩健 .

中国专利 :CN113054011A ,2021-06-29

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

韩国专利 :CN113725298B ,2025-06-03

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

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