功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710184014.7

申请日：

2017-03-24

公开(公告)号：

CN106952945A

公开(公告)日：

2017-07-14

发明(设计)人：

李学会

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29417 H01L21336 H01L29739 H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

吴平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-14	公开	公开
2017-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101739972850 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2017101840147 申请日:20170324

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李艳旭 ;

宋金星 .

中国专利 :CN112382614B ,2021-02-19

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇 ;

张邵华 ;

杨青森 ;

陈琛 ;

刘块 .

中国专利 :CN117727791A ,2024-03-19

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

吴传佳 ;

裴轶 ;

尹成功 .

中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郭德霄 .

中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

杨彦涛 ;

陈琛 ;

王珏 .

中国专利 :CN108346692A ,2018-07-31

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郑玉宁 ;

张枫 .

中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11

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