功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510991986.8

申请日：

2015-12-25

公开(公告)号：

CN105895685A

公开(公告)日：

2016-08-24

发明(设计)人：

吴传佳裴轶尹成功

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

刘宪池

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	公开	公开
2016-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101679351509 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2015109919868 申请日:20151225
2019-01-01	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

裴轶 ;

李元 ;

吴传佳 .

中国专利 :CN104377241B ,2015-02-25

[2]

一种功率半导体器件及其制造方法 [P].

吴传佳 .

中国专利 :CN106298906A ,2017-01-04

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郭德霄 .

中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191A ,2018-07-24

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

谭开洲 ;

肖添 ;

张嘉浩 ;

杨永晖 ;

蒋和全 ;

李儒章 ;

张培健 ;

钟怡 ;

王鹏 ;

王育新 ;

付晓君 ;

唐昭焕 .

中国专利 :CN114335164A ,2022-04-12

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

许鸿豹 ;

黄金 .

中国专利 :CN101527315B ,2009-09-09

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618A ,2022-04-22

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

谭开洲 ;

肖添 ;

张嘉浩 ;

杨永晖 ;

蒋和全 ;

李儒章 ;

张培健 ;

钟怡 ;

王鹏 ;

王育新 ;

付晓君 ;

唐昭焕 .

中国专利 :CN114335164B ,2025-09-12

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