功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210048779.9

申请日：

2022-01-17

公开(公告)号：

CN114335164B

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

谭开洲肖添张嘉浩杨永晖蒋和全李儒章张培健钟怡王鹏王育新付晓君唐昭焕

申请人：

中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

IPC主分类号：

H10D64/00

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/66 H10D30/01

代理机构：

上海汉之律师事务所 31378

代理人：

唐勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

谭开洲 ;

肖添 ;

张嘉浩 ;

杨永晖 ;

蒋和全 ;

李儒章 ;

张培健 ;

钟怡 ;

王鹏 ;

王育新 ;

付晓君 ;

唐昭焕 .

中国专利 :CN114335164A ,2022-04-12

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

吴传佳 ;

裴轶 ;

尹成功 .

中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

裴轶 ;

李元 ;

吴传佳 .

中国专利 :CN104377241B ,2015-02-25

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇 ;

张邵华 ;

杨青森 ;

陈琛 ;

刘块 .

中国专利 :CN118016715A ,2024-05-10

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郭德霄 .

中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

杨彦涛 ;

陈琛 ;

王珏 .

中国专利 :CN108346692A ,2018-07-31

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

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