功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710056660.5

申请日：

2017-01-25

公开(公告)号：

CN108346692A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

顾悦吉杨彦涛陈琛王珏

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L21331

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;张靖琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20170125

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

吴传佳 ;

裴轶 ;

尹成功 .

中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郭德霄 .

中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郑玉宁 ;

张枫 .

中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李珠焕 ;

朴泰泳 ;

禹赫 ;

姜旻岐 ;

金莹俊 ;

金台烨 ;

尹成晥 ;

赵善衡 ;

河定穆 .

中国专利 :CN110634947A ,2019-12-31

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李珠焕 ;

禹赫 .

中国专利 :CN109728082B ,2019-05-07

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