功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811259649.X

申请日：

2018-10-26

公开(公告)号：

CN109728082B

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

李珠焕禹赫

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2908 H01L2906 H01L21331

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

田喜庆;李子光

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	授权	授权
2021-04-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20210322 变更事项:申请人变更前权利人:奥特润株式会社变更后权利人:现代摩比斯株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:韩国首尔
2019-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20181026
2019-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

朴在勋 ;

宋寅赫 ;

徐东秀 ;

金洸洙 ;

严基宙 .

中国专利 :CN104009081B ,2014-08-27

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

金虎铉 ;

许承培 ;

宋承昱 ;

朴廷桓 ;

杨河龙 ;

金仁洙 .

中国专利 :CN103681822A ,2014-03-26

[3]

功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法 [P].

苏梨梨 ;

曹俊 ;

敖利波 ;

史波 ;

马浩华 .

中国专利 :CN113394204B ,2021-09-14

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

吴传佳 ;

裴轶 ;

尹成功 .

中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郭德霄 .

中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

杨彦涛 ;

陈琛 ;

王珏 .

中国专利 :CN108346692A ,2018-07-31

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

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