一种功率半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610347542.5
申请日
2016-05-24
公开(公告)号
CN106298906A
公开(公告)日
2017-01-04
发明(设计)人
吴传佳
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2906 H01L21335
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
孟金喆;胡彬
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴传佳 ;
裴轶 ;
尹成功 .
中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24
[2]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
裴轶 ;
李元 ;
吴传佳 .
中国专利 :CN104377241B ,2015-02-25
[3]
一种功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴传佳 .
中国专利 :CN106340536A ,2017-01-18
[4]
一种功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
高文玉 .
中国专利 :CN120769510A ,2025-10-10
[5]
一种半导体器件及其制备方法 [P]. 
吴传佳 .
中国专利 :CN106601808B ,2017-04-26
[6]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
郭德霄 .
中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27
[7]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
郑玉宁 ;
张枫 .
中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11
[8]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
闻永祥 ;
顾悦吉 ;
葛俊山 ;
孙文良 ;
陈果 .
中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19
[9]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
闻永祥 ;
顾悦吉 ;
葛俊山 ;
孙文良 ;
陈果 .
中国专利 :CN108321191A ,2018-07-24
[10]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
许鸿豹 ;
黄金 .
中国专利 :CN101527315B ,2009-09-09