用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210699991.1

申请日：

2022-06-20

公开(公告)号：

CN115572540B

公开(公告)日：

2024-03-12

发明(设计)人：

郭泽秀金义贤裵鎭希司空峻李忠宪李汉松任浣熙张胜宇赵炫洙黄丙奎

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号

IPC主分类号：

C09D183/16

IPC分类号：

C08G77/62 C04B41/65

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

贺财俊;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P].

郭泽秀 ;

金义贤 ;

裵鎭希 ;

司空峻 ;

李忠宪 ;

李汉松 ;

任浣熙 ;

张胜宇 ;

赵炫洙 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN115572540A ,2023-01-06

[2]

用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李汉松 ;

郭泽秀 ;

金义贤 ;

裵鎭希 ;

司空峻 ;

李忠宪 ;

任浣熙 ;

张胜宇 ;

赵炫洙 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN115703943A ,2023-02-17

[3]

用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P].

裵鎭希 ;

郭泽秀 ;

黄丙奎 ;

卢健培 ;

司空峻 ;

徐珍雨 ;

张俊英 .

中国专利 :CN109957261A ,2019-07-02

[4]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层以及电子装置 [P].

任浣熙 ;

赵炫洙 ;

黄丙奎 ;

郭泽秀 ;

裵鎭希 ;

张胜宇 .

中国专利 :CN113528014A ,2021-10-22

[5]

用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李殷善 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裴鎭希 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106147604A ,2016-11-23

[6]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置 [P].

李知虎 ;

沈秀姸 ;

金眞敎 ;

朱英在 .

中国专利 :CN107778876B ,2018-03-09

[7]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置 [P].

尹熙灿 ;

金佑翰 ;

高尚兰 ;

郭泽秀 ;

金补宣 ;

金真敎 ;

罗隆熙 ;

卢健培 ;

朴玺美 ;

裵镇希 ;

司空峻 ;

李殷善 ;

任浣熙 ;

张俊英 ;

郑日 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106189267A ,2016-12-07

[8]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置 [P].

韩权愚 ;

郭泽秀 ;

卢健培 ;

徐珍雨 ;

沈秀姸 ;

尹熙灿 ;

李知虎 ;

张俊英 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN107129757B ,2017-09-05

[9]

用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子器件 [P].

裵镇希 ;

郭泽秀 ;

姜明镐 ;

张胜宇 ;

卢健培 .

中国专利 :CN112409824B ,2021-02-26

[10]

用于形成二氧化硅类层的组成物、二氧化硅类层及电子装置 [P].

张俊英 ;

郭泽秀 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裵镇希 ;

金补宣 ;

罗隆熙 ;

朴玺美 ;

李汉松 ;

任浣熙 .

中国专利 :CN105720041B ,2016-06-29

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