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用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层以及电子装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110406105.7
申请日：
2021-04-15
公开(公告)号：
CN113528014A
公开(公告)日：
2021-10-22
发明(设计)人：
任浣熙 赵炫洙 黄丙奎 郭泽秀 裵鎭希 张胜宇
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
IPC主分类号：
C09D18316
IPC分类号：
C08G7762
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
杨贝贝;臧建明
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-09 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C09D 183/16 申请日:20210415
2021-10-22 公开 公开
共 50 条
[1]
用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置 [P]. 
尹熙灿 ;
金佑翰 ;
高尚兰 ;
郭泽秀 ;
金补宣 ;
金真敎 ;
罗隆熙 ;
卢健培 ;
朴玺美 ;
裵镇希 ;
司空峻 ;
李殷善 ;
任浣熙 ;
张俊英 ;
郑日 ;
黄丙奎 .
中国专利 :CN106189267A ,2016-12-07
[2]
用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P]. 
李殷善 ;
金佑翰 ;
尹熙灿 ;
裴鎭希 ;
黄丙奎 .
中国专利 :CN106147604A ,2016-11-23
[3]
用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置 [P]. 
李知虎 ;
沈秀姸 ;
金眞敎 ;
朱英在 .
中国专利 :CN107778876B ,2018-03-09
[4]
用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P]. 
李汉松 ;
郭泽秀 ;
金义贤 ;
裵鎭希 ;
司空峻 ;
李忠宪 ;
任浣熙 ;
张胜宇 ;
赵炫洙 ;
黄丙奎 .
中国专利 :CN115703943A ,2023-02-17
[5]
用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P]. 
裵鎭希 ;
郭泽秀 ;
黄丙奎 ;
卢健培 ;
司空峻 ;
徐珍雨 ;
张俊英 .
中国专利 :CN109957261A ,2019-07-02
[6]
用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P]. 
郭泽秀 ;
金义贤 ;
裵鎭希 ;
司空峻 ;
李忠宪 ;
李汉松 ;
任浣熙 ;
张胜宇 ;
赵炫洙 ;
黄丙奎 .
中国专利 :CN115572540A ,2023-01-06
[7]
用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 [P]. 
郭泽秀 ;
金义贤 ;
裵鎭希 ;
司空峻 ;
李忠宪 ;
李汉松 ;
任浣熙 ;
张胜宇 ;
赵炫洙 ;
黄丙奎 .
韩国专利 :CN115572540B ,2024-03-12
[8]
用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子器件 [P]. 
裵镇希 ;
郭泽秀 ;
姜明镐 ;
张胜宇 ;
卢健培 .
中国专利 :CN112409824B ,2021-02-26
[9]
用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置 [P]. 
韩权愚 ;
郭泽秀 ;
卢健培 ;
徐珍雨 ;
沈秀姸 ;
尹熙灿 ;
李知虎 ;
张俊英 ;
黄丙奎 .
中国专利 :CN107129757B ,2017-09-05
[10]
用于形成二氧化硅类层的组成物、二氧化硅类层及电子装置 [P]. 
张俊英 ;
郭泽秀 ;
金佑翰 ;
尹熙灿 ;
裵镇希 ;
金补宣 ;
罗隆熙 ;
朴玺美 ;
李汉松 ;
任浣熙 .
中国专利 :CN105720041B ,2016-06-29
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