一种沉淀金属薄膜的方法及量子芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311631024.2

申请日：

2023-11-30

公开(公告)号：

CN117915756A

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

詹慧娟王翡祝莎莎马璐

申请人：

阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司

申请人地址：

310023 浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路969号3幢5层516室

IPC主分类号：

H10N60/01

IPC分类号：

H10N60/12 H01L21/3205

代理机构：

北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134

代理人：

谢湘宁

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	公开	公开
2024-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 60/01申请日:20231130

共 50 条

[1]

钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片 [P].

邓昊 ;

张晓航 .

中国专利 :CN115458675A ,2022-12-09

[2]

一种金属薄膜沉积方法及金属薄膜 [P].

刘孟杰 ;

陈杰 ;

武彪 ;

郭伟贵 ;

安钊 ;

王光月 ;

张祥 .

中国专利 :CN120924910A ,2025-11-11

[3]

一种量子芯片的制备方法及量子芯片 [P].

郑伟文 .

中国专利 :CN120614980A ,2025-09-09

[4]

超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片 [P].

应马可 .

中国专利 :CN115666213A ,2023-01-31

[5]

超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片 [P].

应马可 .

中国专利 :CN115666213B ,2025-02-14

[6]

量子芯片的制备方法及量子芯片 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

贾志龙 .

中国专利 :CN117677278A ,2024-03-08

[7]

一种超导量子芯片及制备方法 [P].

胡金耀 .

中国专利 :CN121152553A ,2025-12-16

[8]

一种超导量子芯片及制备方法 [P].

胡金耀 .

中国专利 :CN121152552A ,2025-12-16

[9]

量子芯片的制备方法及超导量子芯片 [P].

卜坤亮 ;

李渊 ;

蔡天奇 ;

淮赛男 ;

郑一聪 ;

张胜誉 .

中国专利 :CN118541017A ,2024-08-23

[10]

用于超导量子比特的金属薄膜及其变功率制备方法 [P].

宿非凡 ;

燕军祥 ;

耿广州 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN114122248A ,2022-03-01

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