一种金属薄膜沉积方法及金属薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511004506.4

申请日：

2025-07-21

公开(公告)号：

CN120924910A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

刘孟杰陈杰武彪郭伟贵安钊王光月张祥

申请人：

量子科技长三角产业创新中心

申请人地址：

215000 江苏省苏州市相城区青龙港路286号长三角国际研发社区启动区9C座101

IPC主分类号：

C23C14/14

IPC分类号：

C23C14/30 C23C14/58 C23C14/02

代理机构：

上海微略知识产权代理有限公司 31498

代理人：

肖烜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/14申请日:20250721
2025-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

金属薄膜沉积方法 [P].

周烽 ;

万先进 ;

熊少游 ;

左明光 ;

李远 ;

宋锐 ;

李远博 .

中国专利 :CN110699663B ,2020-01-17

[2]

金属薄膜的薄膜沉积装置以及金属薄膜沉积方法 [P].

佐藤祐规 ;

柳本博 ;

平冈基记 .

中国专利 :CN105452539A ,2016-03-30

[3]

金属薄膜沉积方法 [P].

高政宁 ;

宋文聪 .

中国专利 :CN114107939B ,2022-03-01

[4]

一种独立金属薄膜制备方法及金属薄膜 [P].

龚国华 ;

何江 .

中国专利 :CN109136846A ,2019-01-04

[5]

用于金属薄膜沉积的坩埚及用于金属薄膜沉积的蒸发源 [P].

朴显植 ;

崔在秀 ;

吴泳晩 .

中国专利 :CN108713262A ,2018-10-26

[6]

一种沉淀金属薄膜的方法及量子芯片 [P].

詹慧娟 ;

王翡 ;

祝莎莎 ;

马璐 .

中国专利 :CN117915756A ,2024-04-19

[7]

金属薄膜制造方法以及金属薄膜 [P].

八塚刚志 ;

鲇泽佳孝 ;

木津本博俊 ;

小木浩二 .

中国专利 :CN102326213A ,2012-01-18

[8]

金属薄膜的原子层沉积方法 [P].

水谷文一 ;

东慎太郎 ;

竹泽直幸 .

中国专利 :CN110945157A ,2020-03-31

[9]

金属氮化物薄膜沉积方法 [P].

马迎功 ;

郭冰亮 ;

武树波 ;

师帅涛 ;

赵晨光 ;

杨健 ;

宋玲彦 ;

甄梓扬 ;

翟洪涛 ;

许文学 ;

张璐 ;

崔亚欣 ;

段俊雄 ;

孙鲁阳 .

中国专利 :CN112760602B ,2021-05-07

[10]

金属薄膜的制备方法及金属薄膜结构 [P].

蔡康 ;

李昭 ;

许闵壹 ;

彭浩 ;

刘红 ;

叶微 .

中国专利 :CN111254411B ,2020-06-09

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