金属薄膜沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910846918.0

申请日：

2019-09-09

公开(公告)号：

CN110699663B

公开(公告)日：

2020-01-17

发明(设计)人：

周烽万先进熊少游左明光李远宋锐李远博

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

C23C1618

IPC分类号：

C23C1656 H01L21285

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479

代理人：

陈敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	公开	公开
2022-11-22	授权	授权
2020-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/18 申请日:20190909

共 50 条

[1]

金属薄膜的薄膜沉积装置以及金属薄膜沉积方法 [P].

佐藤祐规 ;

柳本博 ;

平冈基记 .

中国专利 :CN105452539A ,2016-03-30

[2]

金属薄膜沉积方法 [P].

高政宁 ;

宋文聪 .

中国专利 :CN114107939B ,2022-03-01

[3]

导电薄膜沉积方法及薄膜沉积腔 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120006253A ,2025-05-16

[4]

一种金属薄膜沉积方法及金属薄膜 [P].

刘孟杰 ;

陈杰 ;

武彪 ;

郭伟贵 ;

安钊 ;

王光月 ;

张祥 .

中国专利 :CN120924910A ,2025-11-11

[5]

金属薄膜的原子层沉积方法 [P].

水谷文一 ;

东慎太郎 ;

竹泽直幸 .

中国专利 :CN110945157A ,2020-03-31

[6]

金属氮化物薄膜沉积方法 [P].

马迎功 ;

郭冰亮 ;

武树波 ;

师帅涛 ;

赵晨光 ;

杨健 ;

宋玲彦 ;

甄梓扬 ;

翟洪涛 ;

许文学 ;

张璐 ;

崔亚欣 ;

段俊雄 ;

孙鲁阳 .

中国专利 :CN112760602B ,2021-05-07

[7]

薄膜沉积系统及薄膜沉积方法 [P].

赵小虎 ;

林茂仲 .

中国专利 :CN111295464A ,2020-06-16

[8]

薄膜沉积方法和装置 [P].

朱宝 ;

罗夕琼 ;

沈晓良 ;

尹睿 ;

张卫 .

中国专利 :CN117821940A ,2024-04-05

[9]

金属薄膜制造方法以及金属薄膜 [P].

八塚刚志 ;

鲇泽佳孝 ;

木津本博俊 ;

小木浩二 .

中国专利 :CN102326213A ,2012-01-18

[10]

薄膜的沉积 [P].

R·德雷克 ;

A·瑟吉纳 ;

S·B·里斯 ;

J·汉宁顿 ;

L·A·奥黑尔 ;

S·里德 .

中国专利 :CN1863853B ,2006-11-15

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