用于金属薄膜沉积的坩埚及用于金属薄膜沉积的蒸发源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580085778.X

申请日：

2015-12-21

公开(公告)号：

CN108713262A

公开(公告)日：

2018-10-26

发明(设计)人：

朴显植崔在秀吴泳晩

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L5156

IPC分类号：

H01L2122 H01L5100 H01L2167 H01L21324

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;宋东颖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	公开	公开
2021-02-26	授权	授权
2018-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/56 申请日:20151221

共 50 条

[1]

金属薄膜的薄膜沉积装置以及金属薄膜沉积方法 [P].

佐藤祐规 ;

柳本博 ;

平冈基记 .

中国专利 :CN105452539A ,2016-03-30

[2]

金属薄膜沉积方法 [P].

高政宁 ;

宋文聪 .

中国专利 :CN114107939B ,2022-03-01

[3]

金属薄膜沉积方法 [P].

周烽 ;

万先进 ;

熊少游 ;

左明光 ;

李远 ;

宋锐 ;

李远博 .

中国专利 :CN110699663B ,2020-01-17

[4]

用于沉积蒸发材料的蒸发源、真空沉积系统和用于沉积蒸发材料的方法 [P].

安德烈亚斯·洛普 ;

D·哈斯 .

中国专利 :CN110691861A ,2020-01-14

[5]

一种金属薄膜沉积方法及金属薄膜 [P].

刘孟杰 ;

陈杰 ;

武彪 ;

郭伟贵 ;

安钊 ;

王光月 ;

张祥 .

中国专利 :CN120924910A ,2025-11-11

[6]

用于沉积已蒸发材料的蒸发源与用于沉积已蒸发材料的方法 [P].

乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 ;

斯蒂芬·班格特 ;

哈拉尔德·沃斯特 ;

德烈亚斯·勒普 ;

戴特尔·哈斯 .

中国专利 :CN115074662A ,2022-09-20

[7]

用于沉积含金属薄膜的金属-烯醇化物前体 [P].

J·A·T·诺曼 ;

雷新建 .

中国专利 :CN102558221B ,2012-07-11

[8]

用于沉积已蒸发材料的蒸发源与用于沉积已蒸发材料的方法 [P].

乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 ;

斯蒂芬·班格特 ;

哈拉尔德·沃斯特 ;

德烈亚斯·勒普 ;

戴特尔·哈斯 .

中国专利 :CN107592889A ,2018-01-16

[9]

金属薄膜的原子层沉积方法 [P].

水谷文一 ;

东慎太郎 ;

竹泽直幸 .

中国专利 :CN110945157A ,2020-03-31

[10]

用于沉积钨薄膜或钼薄膜的方法 [P].

R·小赖特 ;

T·H·鲍姆 ;

B·C·亨德里克斯 ;

S·D·阮 ;

王瀚 ;

P·S·H·陈 .

美国专利 :CN120485744A ,2025-08-15

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