存储器、闪存的数据写入电路及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310418497.8

申请日：

2023-04-18

公开(公告)号：

CN116665739B

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

聂虹孙英赵梓名

申请人：

中天弘宇集成电路有限责任公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室

IPC主分类号：

G11C16/10

IPC分类号：

G11C16/08 G11C16/24 G06F3/06

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

施婷婷

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	授权	授权

共 50 条

[1]

数据写入电路、数据写入方法存储器 [P].

武贤君 ;

尚为兵 .

中国专利 :CN116741224B ,2024-12-06

[2]

闪存存储器的写入方法 [P].

沈安星 ;

张有志 ;

周至军 .

中国专利 :CN114242143A ,2022-03-25

[3]

写入数据到闪存存储器的方法及装置 [P].

邱慎廷 .

中国专利 :CN115878023B ,2025-06-20

[4]

写入数据到闪存存储器的方法及装置 [P].

邱慎廷 .

中国专利 :CN115878022B ,2025-05-27

[5]

写入数据到闪存存储器的方法及装置 [P].

邱慎廷 .

中国专利 :CN115878024B ,2025-05-30

[6]

快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法 [P].

王杰彦 .

中国专利 :CN105529048A ,2016-04-27

[7]

数据写入电路、存储器和数据写入方法 [P].

黄克琴 ;

冀康灵 .

中国专利 :CN118866043B ,2025-10-03

[8]

数据写入电路、存储器和数据写入方法 [P].

黄克琴 ;

冀康灵 .

中国专利 :CN118866043A ,2024-10-29

[9]

闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法 [P].

王阳 ;

余大壮 ;

钟怡 .

中国专利 :CN121001351A ,2025-11-21

[10]

NOR闪存电路及数据写入、读取、擦除方法 [P].

聂虹 ;

赵岳 .

中国专利 :CN112201291A ,2021-01-08

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