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闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410607277.4
申请日：
2024-05-15
公开(公告)号：
CN121001351A
公开(公告)日：
2025-11-21
发明(设计)人：
王阳 余大壮 钟怡
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H10B41/30
IPC分类号：
H10D64/27 H01L21/28 G11C11/56
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
苗芬芬
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-21 公开 公开
2025-12-09 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/30申请日:20240515
共 50 条
[1]
闪存存储器的写入方法 [P]. 
沈安星 ;
张有志 ;
周至军 .
中国专利 :CN114242143A ,2022-03-25
[2]
闪存存储器的形成方法 [P]. 
付博 ;
曹启鹏 .
中国专利 :CN113192838B ,2024-02-02
[3]
闪存存储器的形成方法 [P]. 
付博 ;
曹启鹏 .
中国专利 :CN113192838A ,2021-07-30
[4]
闪存存储器的形成方法 [P]. 
张振兴 .
中国专利 :CN104091786A ,2014-10-08
[5]
快闪存储器的擦除方法及快闪存储器 [P]. 
楼冰泳 ;
马庆容 ;
廖少武 .
中国专利 :CN105225695A ,2016-01-06
[6]
快闪存储器及快闪存储器的形成方法 [P]. 
于涛 .
中国专利 :CN112086460A ,2020-12-15
[7]
快闪存储器的形成方法 [P]. 
徐涛 ;
曹子贵 ;
王卉 ;
陈宏 .
中国专利 :CN106129008B ,2016-11-16
[8]
闪存存储器及其形成方法 [P]. 
王卉 ;
曹子贵 ;
陈宏 ;
徐涛 .
中国专利 :CN106169478A ,2016-11-30
[9]
闪存存储器结构及闪存存储器 [P]. 
安建国 ;
严强生 .
中国专利 :CN119947099A ,2025-05-06
[10]
快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法 [P]. 
王杰彦 .
中国专利 :CN105529048A ,2016-04-27
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