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闪存存储器的形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110313021.9
申请日
:
2021-03-24
公开(公告)号
:
CN113192838A
公开(公告)日
:
2021-07-30
发明(设计)人
:
付博
曹启鹏
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2711521
H01L29788
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
周耀君
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-07-30
公开
公开
2021-08-17
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210324
共 50 条
[1]
闪存存储器的形成方法
[P].
付博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
付博
;
曹启鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
曹启鹏
.
中国专利
:CN113192838B
,2024-02-02
[2]
闪存存储器的形成方法
[P].
张振兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张振兴
.
中国专利
:CN104091786A
,2014-10-08
[3]
闪存存储器及其形成方法
[P].
王卉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王卉
;
曹子贵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹子贵
;
陈宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈宏
;
徐涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐涛
.
中国专利
:CN106169478A
,2016-11-30
[4]
闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法
[P].
王阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王阳
;
余大壮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
余大壮
;
钟怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
钟怡
.
中国专利
:CN121001351A
,2025-11-21
[5]
NORD闪存存储器及其形成方法
[P].
朱景润
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
朱景润
;
刘宪周
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
刘宪周
.
中国专利
:CN118973263A
,2024-11-15
[6]
快闪存储器及其形成方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵猛
.
中国专利
:CN104658979B
,2015-05-27
[7]
快闪存储器及快闪存储器的形成方法
[P].
于涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于涛
.
中国专利
:CN112086460A
,2020-12-15
[8]
快闪存储器的形成方法
[P].
胡建强
论文数:
0
引用数:
0
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0
胡建强
.
中国专利
:CN105097709B
,2015-11-25
[9]
快闪存储器的形成方法
[P].
徐涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
徐涛
;
曹子贵
论文数:
0
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0
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0
曹子贵
;
王卉
论文数:
0
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0
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王卉
;
陈宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈宏
.
中国专利
:CN106129008B
,2016-11-16
[10]
快闪存储器的形成方法
[P].
张翼英
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张翼英
.
中国专利
:CN104752363A
,2015-07-01
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