半导体结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311302281.1
申请日
2023-10-08
公开(公告)号
CN117337035A
公开(公告)日
2024-01-02
发明(设计)人
丁潇 张浩 左磊 王刚 徐陈林 郝蓓
申请人
芯盟科技有限公司
申请人地址
314499 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号9号楼5层
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
代理机构
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人
陈丽丽
法律状态
公开
国省代码
河北省 衡水市
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共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
华文宇 ;
丁潇 .
中国专利 :CN117042451B ,2024-02-02
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李璡一 .
中国专利 :CN113314532A ,2021-08-27
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN118401092A ,2024-07-26
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
H·杰加纳森 ;
S·K·卡纳卡萨巴帕斯 .
中国专利 :CN103258852A ,2013-08-21
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
胡连峰 .
中国专利 :CN113594365A ,2021-11-02
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN117690913A ,2024-03-12
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
冯道欢 ;
蒋懿 ;
肖德元 .
中国专利 :CN118870800A ,2024-10-29
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
邹振东 ;
赖云凯 ;
廖志成 ;
李家豪 .
中国专利 :CN118198099A ,2024-06-14
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
冯道欢 ;
蒋懿 ;
肖德元 .
中国专利 :CN118870800B ,2025-09-19
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
J·B·常 ;
P·常 ;
A·马宗达 ;
J·W·斯雷特 .
中国专利 :CN103855090A ,2014-06-11