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碳化硅半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310757775.2
申请日：
2023-06-26
公开(公告)号：
CN117594651A
公开(公告)日：
2024-02-23
发明(设计)人：
辻崇
申请人：
富士电机株式会社
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/16
H01L29/06
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
周爽;金玉兰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-23 | 公开 | 公开 |
| 2024-03-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20230626 |