碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811116887.5

申请日：

2018-09-21

公开(公告)号：

CN109585535A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

富永贵亮高木保志樽井阳一郎日野史郎

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2916

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/16 申请日:20180921
2022-02-25	授权	授权
2019-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置 [P].

荒冈干 .

中国专利 :CN111834448A ,2020-10-27

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

荒冈干 .

日本专利 :CN111834448B ,2025-06-03

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

末川英介 ;

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN105702717A ,2016-06-22

[4]

碳化硅半导体装置 [P].

市川义人 .

日本专利 :CN118610252A ,2024-09-06

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

大冈笃志 ;

堀川信之 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN110137240A ,2019-08-16

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 .

中国专利 :CN111712926A ,2020-09-25

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 .

日本专利 :CN111712926B ,2024-02-02

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

林真吾 ;

木下明将 .

中国专利 :CN115394831A ,2022-11-25

[9]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊田恵志郎 ;

桥爪悠一 ;

星保幸 ;

铃木启久 .

中国专利 :CN110383489A ,2019-10-25

[10]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

藤本卓巳 .

中国专利 :CN109841616A ,2019-06-04

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