碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610222047.1

申请日：

2011-11-25

公开(公告)号：

CN105702717A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

末川英介折附泰典樽井阳一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

H01L2949 H01L2978 H01L29861 H01L2916

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/45 申请公布日:20160622
2016-06-22	公开	公开
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670885938 IPC(主分类):H01L 29/45 专利申请号:2016102220471 申请日:20111125

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 ;

高木保志 ;

樽井阳一郎 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN109585535A ,2019-04-05

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

箕谷周平 ;

汲田昌弘 ;

副岛成雅 .

中国专利 :CN111149214A ,2020-05-12

[4]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

福井裕 ;

菅原胜俊 ;

黑岩丈晴 ;

香川泰宏 .

中国专利 :CN108292680B ,2018-07-17

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187057A ,2025-06-20

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

荒冈干 .

中国专利 :CN111834448A ,2020-10-27

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

高木保志 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN106663693B ,2017-05-10

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187070A ,2025-06-20

[9]

碳化硅半导体装置 [P].

荒冈干 .

日本专利 :CN111834448B ,2025-06-03

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

山田俊介 ;

田中聪 ;

滨岛大辅 ;

木村真二 ;

小林正幸 ;

木岛正贵 ;

滨田牧 .

中国专利 :CN106716609A ,2017-05-24

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