碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580051484.5

申请日：

2015-08-31

公开(公告)号：

CN106716609A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

山田俊介田中聪滨岛大辅木村真二小林正幸木岛正贵滨田牧

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L21283 H01L21316 H01L21768 H01L23532 H01L2912 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	授权	授权
2017-05-24	公开	公开
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727785548 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015800514845 申请日:20150831

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[2]

碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

胁本节子 .

中国专利 :CN112652653A ,2021-04-13

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[4]

碳化硅半导体装置 [P].

箕谷周平 ;

汲田昌弘 ;

副岛成雅 .

中国专利 :CN111149214A ,2020-05-12

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

末川英介 ;

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN105702717A ,2016-06-22

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

福井裕 ;

菅原胜俊 ;

黑岩丈晴 ;

香川泰宏 .

中国专利 :CN108292680B ,2018-07-17

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN108292676A ,2018-07-17

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

铃木巨裕 ;

青井佐智子 ;

渡边行彦 ;

添野明高 ;

小西正树 .

中国专利 :CN105593996B ,2016-05-18

[9]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187057A ,2025-06-20

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

高木保志 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN106663693B ,2017-05-10

← 1 2 3 4 5 →