碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480080201.5

申请日：

2014-06-27

公开(公告)号：

CN106663693B

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

高木保志樽井阳一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2912 H01L29739

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724566547 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014800802015 申请日:20140627
2017-05-10	公开	公开
2019-11-01	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

箕谷周平 ;

汲田昌弘 ;

副岛成雅 .

中国专利 :CN111149214A ,2020-05-12

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

末川英介 ;

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN105702717A ,2016-06-22

[4]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187057A ,2025-06-20

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN105637642B ,2016-06-01

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187070A ,2025-06-20

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 ;

高木保志 ;

樽井阳一郎 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN109585535A ,2019-04-05

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

山田俊介 ;

田中聪 ;

滨岛大辅 ;

木村真二 ;

小林正幸 ;

木岛正贵 ;

滨田牧 .

中国专利 :CN106716609A ,2017-05-24

[9]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[10]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大久野幸史 .

日本专利 :CN115701662B ,2025-12-05

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