碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411834241.6

申请日：

2024-12-13

公开(公告)号：

CN120187057A

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

熊四辈塩井伸一

申请人：

三安日本科技株式会社

申请人地址：

日本东京都江东区福住2丁目5番4号

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/23 H10D30/01

代理机构：

厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234

代理人：

包爱萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	公开	公开
2025-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20241213

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊谷直树 ;

堤岳志 ;

酒井善行 ;

大西泰彦 ;

藤本卓巳 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN106796956B ,2017-05-31

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187070A ,2025-06-20

[4]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

箕谷周平 ;

汲田昌弘 ;

副岛成雅 .

中国专利 :CN111149214A ,2020-05-12

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118676206A ,2024-09-20

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

末川英介 ;

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN105702717A ,2016-06-22

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

福井裕 ;

菅原胜俊 ;

黑岩丈晴 ;

香川泰宏 .

中国专利 :CN108292680B ,2018-07-17

[9]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN108292676A ,2018-07-17

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

堀川信之 ;

楠本修 ;

林将志 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN106463541A ,2017-02-22

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