碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410135546.1

申请日：

2024-01-31

公开(公告)号：

CN118676206A

公开(公告)日：

2024-09-20

发明(设计)人：

大瀬直之

申请人：

富士电机株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/423 H01L29/45 H01L21/336

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;严美善

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240131
2024-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 ;

日野史郎 .

日本专利 :CN115917755B ,2025-08-01

[3]

碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

内海诚 .

日本专利 :CN120076362A ,2025-05-30

[4]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊谷直树 ;

堤岳志 ;

酒井善行 ;

大西泰彦 ;

藤本卓巳 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN106796956B ,2017-05-31

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

福井裕 ;

菅原胜俊 ;

黑岩丈晴 ;

香川泰宏 .

中国专利 :CN108292680B ,2018-07-17

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN108292676A ,2018-07-17

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

堀川信之 ;

楠本修 ;

林将志 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN106463541A ,2017-02-22

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187057A ,2025-06-20

[9]

碳化硅半导体装置 [P].

荒冈干 .

中国专利 :CN111834448A ,2020-10-27

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

竹内有一 ;

秋叶敦也 ;

青井佐智子 ;

铃木克己 .

中国专利 :CN110226233B ,2019-09-10

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