碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080100712.4

申请日：

2020-06-24

公开(公告)号：

CN115917755B

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

富永贵亮日野史郎

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

金春实

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[2]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN117594652A ,2024-02-23

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[4]

碳化硅半导体装置 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118676206A ,2024-09-20

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

福井裕 ;

菅原胜俊 ;

黑岩丈晴 ;

香川泰宏 .

中国专利 :CN108292680B ,2018-07-17

[6]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN108292676A ,2018-07-17

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

古桥壮之 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN105431947B ,2016-03-23

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

林真吾 ;

木下明将 .

中国专利 :CN115394831A ,2022-11-25

[9]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

桥爪悠一 ;

熊田惠志郎 ;

星保幸 .

中国专利 :CN109427902A ,2019-03-05

[10]

碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

内海诚 .

日本专利 :CN120076362A ,2025-05-30

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