碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480042898.7

申请日：

2014-03-07

公开(公告)号：

CN105431947B

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

古桥壮之三浦成久

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2912

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

金春实

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656302039 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014800428987 申请日:20140307
2018-10-02	授权	授权
2016-03-23	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

福井裕 ;

菅原胜俊 ;

黑岩丈晴 ;

香川泰宏 .

中国专利 :CN108292680B ,2018-07-17

[2]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN108292676A ,2018-07-17

[3]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 ;

日野史郎 .

日本专利 :CN115917755B ,2025-08-01

[4]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[5]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

须原纪之 ;

堤岳志 ;

巻渕阳一 ;

荒岡干 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN105940498B ,2016-09-14

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN117594652A ,2024-02-23

[7]

碳化硅半导体装置 [P].

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN109716531B ,2019-05-03

[8]

碳化硅半导体装置 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118676206A ,2024-09-20

[9]

碳化硅半导体装置 [P].

末川英介 ;

折附泰典 ;

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN105702717A ,2016-06-22

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

铃木巨裕 ;

青井佐智子 ;

渡边行彦 ;

添野明高 ;

小西正树 .

中国专利 :CN105593996B ,2016-05-18

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