碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580054438.0

申请日：

2015-12-16

公开(公告)号：

CN106796956B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

熊谷直树堤岳志酒井善行大西泰彦藤本卓巳福田宪司原田信介岡本光央

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128 H01L2912 H01L29739

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

孙昌浩;李盛泉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729200020 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015800544380 申请日:20151216
2020-11-27	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

小松卓也 ;

今井文一 .

中国专利 :CN107204363A ,2017-09-26

[2]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[3]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN112466924B ,2025-08-29

[4]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊田恵志郎 ;

桥爪悠一 ;

星保幸 ;

铃木启久 .

中国专利 :CN110383489A ,2019-10-25

[5]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大久野幸史 .

日本专利 :CN115701662B ,2025-12-05

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

中国专利 :CN112466924A ,2021-03-09

[7]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

巻渕阳一 ;

堤岳志 ;

荒岡干 ;

岡本光央 ;

福田宪司 .

中国专利 :CN105531802A ,2016-04-27

[8]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN117594652A ,2024-02-23

[9]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大久野幸史 .

中国专利 :CN115701662A ,2023-02-10

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

熊四辈 ;

塩井伸一 .

日本专利 :CN120187057A ,2025-06-20

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