半导体集成电路装置及制造该半导体集成电路装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311077819.3

申请日：

2023-08-24

公开(公告)号：

CN118159033A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

朴镇洙

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B43/35

IPC分类号：

H10B43/27 H10B41/35 H10B41/27

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

党晓林;孙东喜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/35申请日:20230824

共 50 条

[1]

半导体集成电路制造方法及半导体集成电路 [P].

赵保军 .

中国专利 :CN109979875A ,2019-07-05

[2]

半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法 [P].

冈本稔 .

中国专利 :CN1293633C ,2004-06-23

[3]

半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置 [P].

大和田福夫 ;

谷口泰弘 ;

川嶋泰彦 ;

吉田信司 ;

葛西秀男 ;

樱井良多郎 ;

品川裕 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN107912068A ,2018-04-13

[4]

半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置 [P].

谷口泰弘 ;

川嶋泰彦 ;

葛西秀男 ;

樱井良多郎 ;

品川裕 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN106796940A ,2017-05-31

[5]

半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置 [P].

谷口泰弘 ;

川嶋泰彦 ;

葛西秀男 ;

樱井良多郎 ;

品川裕 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN107148668A ,2017-09-08

[6]

半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法 [P].

岩堀淳司 .

中国专利 :CN114467175A ,2022-05-10

[7]

半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法 [P].

岩堀淳司 .

日本专利 :CN114467175B ,2025-04-29

[8]

半导体集成电路及半导体集成电路的制造方法 [P].

宫城弘 .

中国专利 :CN1666410A ,2005-09-07

[9]

半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路 [P].

和气美和 ;

吉田宜史 .

中国专利 :CN1433065A ,2003-07-30

[10]

半导体集成电路装置、半导体集成电路装置的安装结构及半导体集成电路装置的制造方法 [P].

伊藤优辉 .

中国专利 :CN101681893A ,2010-03-24

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