非易失性存储器结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211441460.9
申请日
2022-11-17
公开(公告)号
CN118102728A
公开(公告)日
2024-05-28
发明(设计)人
黄子芸 陈俊旭
申请人
华邦电子股份有限公司
申请人地址
中国台湾台中市
IPC主分类号
H10B43/35
IPC分类号
H01L21/311 H01L21/3213
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
薛平;郝博
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
非易失性存储器结构及其形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN101996951B ,2011-03-30
[2]
非易失性存储器及其形成方法 [P]. 
禹国宾 .
中国专利 :CN103545260A ,2014-01-29
[3]
非易失性存储器及其形成方法 [P]. 
季明华 ;
洪中山 ;
应战 .
中国专利 :CN110648966A ,2020-01-03
[4]
非易失性存储器及其形成方法 [P]. 
陈耿川 .
中国专利 :CN111384056A ,2020-07-07
[5]
非易失性存储器及其形成方法 [P]. 
曹静文 ;
徐炯 ;
马嘉渝 .
中国专利 :CN121038278A ,2025-11-28
[6]
非易失性存储器单元及其形成方法 [P]. 
陈鸿霖 ;
江文智 ;
陈柏铭 ;
林炫政 ;
王泽豪 .
中国专利 :CN109841627B ,2025-04-04
[7]
非易失性存储器单元及其形成方法 [P]. 
陈鸿霖 ;
江文智 ;
陈柏铭 ;
林炫政 ;
王泽豪 .
中国专利 :CN109841627A ,2019-06-04
[8]
非易失性存储器与非易失性存储器的形成方法 [P]. 
王嗣裕 ;
吕函庭 .
中国专利 :CN101364615A ,2009-02-11
[9]
非易失性存储器的形成方法 [P]. 
郭伟 ;
曹秉霞 .
中国专利 :CN113793851B ,2021-12-14
[10]
存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法 [P]. 
池育德 ;
林崇荣 .
中国专利 :CN102201453B ,2011-09-28