非易失性存储器单元及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810538674.5

申请日：

2018-05-30

公开(公告)号：

CN109841627B

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

陈鸿霖江文智陈柏铭林炫政王泽豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H10B41/30

IPC分类号：

H10B41/35

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

顾伯兴

法律状态：

专利权期限的补偿

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-27	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10B 41/30申请日:20180530授权公告日:20250404原专利权期满终止日:20380530现专利权期满终止日:20391014
2025-04-04	授权	授权

共 50 条

[1]

非易失性存储器单元及其形成方法 [P].

陈鸿霖 ;

江文智 ;

陈柏铭 ;

林炫政 ;

王泽豪 .

中国专利 :CN109841627A ,2019-06-04

[2]

存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法 [P].

池育德 ;

林崇荣 .

中国专利 :CN102201453B ,2011-09-28

[3]

非易失性存储器及其形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103545260A ,2014-01-29

[4]

非易失性存储器及其形成方法 [P].

季明华 ;

洪中山 ;

应战 .

中国专利 :CN110648966A ,2020-01-03

[5]

非易失性存储器及其形成方法 [P].

陈耿川 .

中国专利 :CN111384056A ,2020-07-07

[6]

非易失性存储器及其形成方法 [P].

曹静文 ;

徐炯 ;

马嘉渝 .

中国专利 :CN121038278A ,2025-11-28

[7]

非易失性存储器单元阵列和形成方法 [P].

杰克·H·元 ;

雅各布·哈斯凯尔 .

中国专利 :CN1263151C ,2003-12-17

[8]

非易失性存储器结构及其形成方法 [P].

黄子芸 ;

陈俊旭 .

中国专利 :CN118102728A ,2024-05-28

[9]

非易失性存储器结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101996951B ,2011-03-30

[10]

非易失性存储器与非易失性存储器的形成方法 [P].

王嗣裕 ;

吕函庭 .

中国专利 :CN101364615A ,2009-02-11

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