非易失性存储器单元阵列和形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01816073.5

申请日：

2001-09-19

公开(公告)号：

CN1263151C

公开(公告)日：

2003-12-17

发明(设计)人：

杰克·H·元雅各布·哈斯凯尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

付建军

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101029298120 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL018160735 申请日:20010919 授权公告日:20060705 终止日期:20091019
2006-07-05	授权	授权
2004-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法 [P].

尼玛·穆赫莱斯 .

中国专利 :CN101517707B ,2009-08-26

[2]

非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P].

横山孝司 ;

冈干生 ;

神田泰夫 .

中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01

[3]

非易失性存储器单元阵列 [P].

刘峻 .

中国专利 :CN103238215A ,2013-08-07

[4]

存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法 [P].

池育德 ;

林崇荣 .

中国专利 :CN102201453B ,2011-09-28

[5]

非易失性存储器单元阵列 [P].

W·冯埃姆登 ;

G·坦佩尔 .

中国专利 :CN101075618A ,2007-11-21

[6]

非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法 [P].

增涛·T·刘 ;

戴维·H·威尔士 .

中国专利 :CN103314439B ,2013-09-18

[7]

存储器单元和非易失性存储器 [P].

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN204991153U ,2016-01-20

[8]

非易失性存储器单元及其形成方法 [P].

陈鸿霖 ;

江文智 ;

陈柏铭 ;

林炫政 ;

王泽豪 .

中国专利 :CN109841627B ,2025-04-04

[9]

非易失性存储器单元及其形成方法 [P].

陈鸿霖 ;

江文智 ;

陈柏铭 ;

林炫政 ;

王泽豪 .

中国专利 :CN109841627A ,2019-06-04

[10]

非易失性存储器单个单元和阵列架构 [P].

金时焕 .

美国专利 :CN119007773A ,2024-11-22

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