非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法

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专利类型
发明
申请号
CN202080051589.1
申请日
2020-06-11
公开(公告)号
CN114127943A
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
横山孝司 冈干生 神田泰夫
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L2724
IPC分类号
G11C502 G11C710
代理机构
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
张小稳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性存储器单元阵列 [P]. 
刘峻 .
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非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法 [P]. 
尼玛·穆赫莱斯 .
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[4]
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戴维·H·威尔士 .
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[6]
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金泰焕 ;
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穆罕默德·包特齐薛 .
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非易失性存储器单元 [P]. 
简·泽曼 ;
邹斌 ;
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英国专利 :CN112567542B ,2024-01-12