非易失性存储器单元、制作方法以及存储器单元阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311461223.3

申请日：

2023-11-06

公开(公告)号：

CN119855159A

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

李岱萤李明修赵泽夫刘致为

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H10B53/30

IPC分类号：

H10B53/40

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王文思

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 53/30申请日:20231106
2025-04-18	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P].

横山孝司 ;

冈干生 ;

神田泰夫 .

中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01

[2]

非易失性存储器单元阵列 [P].

刘峻 .

中国专利 :CN103238215A ,2013-08-07

[3]

非易失性存储器单元阵列 [P].

W·冯埃姆登 ;

G·坦佩尔 .

中国专利 :CN101075618A ,2007-11-21

[4]

非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法 [P].

尼玛·穆赫莱斯 .

中国专利 :CN101517707B ,2009-08-26

[5]

非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法 [P].

增涛·T·刘 ;

戴维·H·威尔士 .

中国专利 :CN103314439B ,2013-09-18

[6]

非易失性存储器单元 [P].

简·泽曼 ;

邹斌 ;

安德烈·米哈伊 .

中国专利 :CN112567542A ,2021-03-26

[7]

非易失性存储器单元 [P].

穆罕默德·包特齐薛 .

中国专利 :CN101937708B ,2011-01-05

[8]

非易失性存储器单元 [P].

简·泽曼 ;

邹斌 ;

安德烈·米哈伊 .

英国专利 :CN112567542B ,2024-01-12

[9]

非易失性存储器单元 [P].

陈祈材 ;

郭文贤 ;

施孟君 ;

王清煌 ;

李嘉富 ;

池育德 .

中国专利 :CN107045884A ,2017-08-15

[10]

具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列 [P].

J.金 ;

V.蒂瓦里 ;

N.杜 ;

X.刘 ;

钱晓州 ;

白宁 ;

余启文 .

中国专利 :CN105990367B ,2016-10-05

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